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NTMFS4851N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
9.5
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
22
25
4.6
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.84
0.73
1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
13.2
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
8.5
4.7
3.5
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.93
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
Gate Resistance
R G
0.9
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
TYPICAL CHARACTERISTICS
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10 V
0
1
5.0 V
4.5 V
2
T J = 25 ° C
3
4
V GS = 4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
5
6
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V DS ≥ 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1 2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
http://onsemi.com
3
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
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